• Гарантия
    По гарантийному талону
  • Доступно:
    Нет в наличии
Общие характеристики
Activate to Precharge Delay (tRAS) 30
Буферизованная (Registered) Да
Напряжение питания 1.35 В
Напряжение питания 1.35 В
Низкопрофильная (Low Profile) Standart
Общий объём 16 Гб
Поддержка ECC Есть
Поддержка ECC Есть
Производитель Samsung
Производитель Samsung
Пропускная способность 12800 Мб/с
Пропускная способность 12800 Мб/с
Тактовая частота 1600 МГц
Тактовая частота, Мгц 1600 МГц
Тип памяти DDR3L
Тип памяти DDR3L
Форм фактор DIMM
Объем 1 модуль 16Gb
Тайминги
CAS Latency (CL) 11
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11