| Общие характеристики |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) |
36 |
| Буферизованная (Registered) |
нет |
| Количество чипов каждого модуля |
8, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания |
1.2 В |
| Низкопрофильная (Low Profile) |
нет |
| Объем модуля, Гб |
4 |
| Поддержка ECC |
нет |
| Пропускная способность |
17000 МБ/с |
| Тактовая частота MHz |
2133 |
| Тип памяти |
DDR4 |
| Форм-фактор |
SODIMM 260-контактный |
| Тайминги |
| CAS Latency (CL) |
15 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) |
15 |
| Row Precharge Delay (tRP) |
15 |
| Дополнительно |
| Количество ранков |
2 |
Характеристики товаров, внешний вид, комплектация носят ознакомительный характер и не являются публичной офертой.
