Общие характеристики |
Буферизованная (Registered) |
нет |
Количество чипов каждого модуля |
16, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания |
1.2 В |
Низкопрофильная (Low Profile) |
нет |
Поддержка ECC |
нет |
Пропускная способность |
19200 МБ/с |
Тактовая частота |
2400 МГц |
Тип памяти |
DDR4 |
Форм-фактор |
SODIMM 260-контактный |
Объем |
4 модуля по 16 ГБ |
Тайминги |
CAS Latency (CL) |
15 |
RAS to CAS Delay (tRCD) |
15 |
Row Precharge Delay (tRP) |
15 |
Дополнительно |
Количество ранков |
2 |
Характеристики товаров, внешний вид, комплектация носят ознакомительный характер и не являются публичной офертой.