Общие характеристики |
Буферизованная (Registered) |
нет |
Напряжение питания |
1.2 В |
Низкопрофильная (Low Profile) |
нет |
Объем модуля, Гб |
4 |
Поддержка ECC |
нет |
Пропускная способность |
21300 МБ/с |
Радиатор |
Есть |
Тактовая частота MHz |
2666 |
Тип памяти |
DDR4 |
Форм-фактор |
SODIMM 260-контактный |
Тайминги |
CAS Latency (CL) |
16 |
RAS to CAS Delay (tRCD) |
18 |
Row Precharge Delay (tRP) |
18 |
Дополнительно |
Количество ранков |
1 |
Характеристики товаров, внешний вид, комплектация носят ознакомительный характер и не являются публичной офертой.